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三星宣布量產最新V-NAND晶片 砸逾300億美元擴廠

2017/07/06 | By CENS

經濟日報 記者林昀嫻╱即時報導

南韓三星電子4日表示,旗下在京畿道省平澤市的晶片廠已全面準備生產最新64層3D VNAND 快閃記憶體,以滿足市場的強勁需求。

三星表示,最新一代晶片製程將量產64層256Gb的3D VNAND快閃記憶體,藉此滿足消費者以超速和超效能儲存裝置來驅動行動裝置和個人電腦的需求。三星企圖於今年底前將此款記憶體製程與目前48層快閃記憶體均成為主流版本。

三星股價今天漲近1%,報每股237.2萬韓元。

三星電子副會長權五鉉和半導體事業總裁金奇南在內等高層主管和廠區員工,4日一同為該記憶體量產舉行慶祝活動。三星平澤晶片廠已是全球最大晶片廠,而三星到2021年將在該廠再挹注達37兆韓元(約322.27億美元)的資金。

除了擴增平澤廠,三星也將投資6兆韓元在華城廠新增極紫外光(EUV)微影設備的產線。

三星不僅在南韓國內大舉投資,也將擴增中國西安晶片廠,以滿足日益成長的中國市場。中國為全球NAND快閃記憶體最大市場。

此外,三星旗下的三星顯示器也表示,考慮明年在忠清南道省牙山市建造OLED製造廠。

三星表示,企圖透過大舉投資半導體和顯示器產線,來確保在零組件領域的競爭優勢,並同時為南韓創造就業機會,也有助發展整體資訊科技(IT)產業。

南韓三星電子4日表示,旗下在京畿道省平澤市的晶片廠已全面準備生產最新64層3D VNAND 快閃記憶體,以滿足市場的強勁需求。記者張義宮/攝影
南韓三星電子4日表示,旗下在京畿道省平澤市的晶片廠已全面準備生產最新64層3D VNAND 快閃記憶體,以滿足市場的強勁需求。記者張義宮/攝影