陸企衝成熟製程 台廠備戰

美國鼓吹下，半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）母國荷蘭今夏有意擴大限制部分晶片製造設備出口範圍，日本也跟進，將對23種先進晶片製造技術實施出口限制措施，業界認為，此舉讓中芯、華虹等大陸晶圓代工廠發展先進製程無望，預料將全力猛攻成熟製程，聯電、世界、力積電等台廠面臨更大的競爭壓力。

綜合外媒近期報導，荷蘭準備加大限制部分晶片製造設備出口到中國大陸，亦即艾司摩爾生產的機台，從原先規範用於先進製程的極紫外光（EUV）設備，延伸到部分成熟製程用的深紫外光（DUV）設備，最快今年夏天揭露細節。

日本也傳出有意跟進擴大對陸銷售半導體設備的措施，包括東京威力科創（Tokyo Electron）在內的約十家日企，若要出口晶圓製造、晶圓清洗、沉積、回火（annealing）、微影、蝕刻和測試等設備時，必須先取得許可。

業界研判，隨著美、日、荷聯手擴大限制中國大陸取得關鍵半導體製造機台，將使得大陸晶圓代工廠再也無法發展先進製程，只能藉由既有設備持續擴大成熟製程能量，透過良率提升、產能去瓶頸優化等方式爭取訂單，隨著陸企全力衝刺成熟製程發展，聯電、世界、力積電等台廠競爭壓力更大。

因應陸企相關策略，台灣晶圓代工廠積極出招因應。以聯電為例，主要鎖定車用領域，並強化特殊製程發展。

聯電先前在法說會上表態，即使主要終端市場需求疲弱，旗下車用和工業產品依持續成長，特別是車用業務首季營收貢獻達17%，在汽車電子化和自動駕駛驅動下，正向看待車用IC含量持續增加，車用產品將是公司未來重要營收來源和成長主動能，聯電會同步強化與關鍵車用客戶的長約合作。

力積電方面，為強化整合邏輯、記憶體代工獨特優勢，投入開發邏輯晶片與記憶體晶片垂直異質疊合（Hybrid Bonding）製程，適用於3D結構的超高頻寬DRAM，並與數家設計公司合作開發超高效能與超低能耗AI應用晶片。

世界先進部分，去年於8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST），已在客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式進入量產，同時已和海內外整合元件廠（IDM）及IC設計公司展開合作。